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无线和射频半导体

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UM7108B

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库存:5,239(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥367.0692
367.0692
5
¥347.1586
1735.793
10
¥343.2488
3432.488
25
¥317.4283
7935.7075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
800 V
最大二极管电容
1.2 pF
最大串联电阻(中频最大时)
600 mOhms
If - 正向电流
100 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装
Reel
配置
Single
类型
High Power Pin Diodes
商标
Microchip / Microsemi
载流子寿命
2 us
Ir - 反向电流
10 uA
Pd-功率耗散
5.5 W
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
1
子类别
Diodes & Rectifiers
商品其它信息
优势价格,UM7108B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 20V 10MA
1:¥7.1416
10:¥6.3958
25:¥5.7743
100:¥5.0511
3,000:¥2.7459
参考库存:6816
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Hi VTG Fractional-N Integer-N
1:¥46.5673
10:¥41.8778
25:¥39.4144
50:¥37.0414
参考库存:4707
无线和射频半导体
射频无线杂项 ATT N 10DB 4GHZ 25
1:¥3,392.26
5:¥3,341.6134
10:¥3,279.147
25:¥3,053.3956
参考库存:4660
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 1.5dB Gain 20dB P1dB 23dBm
1:¥42.7253
25:¥36.3408
100:¥31.0411
参考库存:5371
无线和射频半导体
射频放大器 10W 2-STAGE HYBRID GaN Transistor
1:¥1,270.7754
2:¥1,235.6663
5:¥1,207.3824
10:¥1,172.1151
参考库存:4745
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  • 价格优势
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