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无线和射频半导体
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HMC441LC3BTR

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库存:43,541(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥427.3886
427.3886
5
¥414.4727
2072.3635
10
¥401.489
4014.89
25
¥388.5844
9714.61
100
¥360.0745
36007.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMT-12
类型
RF Amplifier
技术
GaAs
工作频率
18 GHz
P1dB - 压缩点
20 dBm
增益
14 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
4.5 dB
OIP3 - 三阶截点
32 dBm
工作电源电流
90 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC441G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
频率范围
6 GHz to 18 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
20 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
0.74 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC441LC3BTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp Chip, 17 - 24 GHz
25:¥458.1924
100:¥424.6201
参考库存:3265
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Series TEE SOT-23
1:¥9.605
10:¥7.7631
100:¥5.9438
500:¥5.2658
3,000:¥3.5708
参考库存:6876
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz Receiver, 1.2kbps, 1.7mA With Shutdown
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:3519
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
参考库存:44848
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥910.8591
2:¥882.5865
5:¥882.3492
10:¥853.8506
参考库存:3270
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