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无线和射频半导体
HMC785LP4E参考图片

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HMC785LP4E

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库存:4,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥146.1542
146.1542
10
¥134.3909
1343.909
25
¥128.8652
3221.63
100
¥113.4972
11349.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
1.7 GHz to 2.2 GHz
转换损失——最大
10 dB
NF—噪声系数
8 dB
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
封装
Cut Tape
系列
HMC785
技术
Silicon
商标
Analog Devices / Hittite
工作电源电流
160 mA
工作电源电压
5 V
Pd-功率耗散
1.08 W
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,HMC785LP4E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 315MHz FSK/ASK Transmitter
1:¥17.9783
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
5,000:¥7.571
参考库存:40378
无线和射频半导体
射频收发器 2.4-2.5GHz 802.11g/b 射频收发器
1:¥81.8346
10:¥77.2242
25:¥61.7771
50:¥58.7035
2,500:¥39.7308
参考库存:40381
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
1:¥4,072.52
25:¥3,672.952
参考库存:1942
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.925GHz NF 1.7dB Gain 13.5dB
1:¥14.2154
25:¥12.2153
100:¥10.3734
200:¥9.6841
参考库存:2683
AVX
无线和射频半导体
衰减器 0603 9dB
1:¥43.7197
10:¥42.9513
20:¥40.8834
50:¥40.1828
参考库存:2035
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