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无线和射频半导体
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HMC329ALC3B

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数量单价合计
1
¥398.7205
398.7205
5
¥386.6634
1933.317
10
¥374.595
3745.95
25
¥362.5266
9063.165
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
是
射频
24 GHz to 32 GHz
转换损失——最大
13.5 dB
NF—噪声系数
12 dB
LO频率
24 GHz to 32 GHz
中频
DC to 8 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
系列
HMC329
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
开发套件
EV1HMC329ALC3B
湿度敏感性
Yes
OIP3 - 三阶截点
20 dBm
P1dB - 压缩点
12 dBm
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格，HMC329ALC3B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UM2106A
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
15:¥327.1124
25:¥302.4445
50:¥292.9864
100:¥283.5396
参考库存:50099
EFR32FG14P233F128GM48-BR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN48 dual 19.5 dB proprietary 128 kB 16 kB (RAM) 28GPIO SoC
2,500:¥39.5726
参考库存:50102
HUM2001SM
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
25:¥348.9327
50:¥338.0169
100:¥327.1124
250:¥305.3599
参考库存:50105
PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:50108
GC4701-42
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
20:¥321.4963
25:¥297.2917
50:¥287.9918
100:¥278.7032
参考库存:50111
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