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无线和射频半导体
BFR 340F H6327参考图片

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BFR 340F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.3617
23.617
100
¥1.09158
109.158
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR340
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
20 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.9 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
20 mA
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR340FH6327XTSA1 BFR34FH6327XT SP000750426
单位重量
1.430 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 340F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT21S230SR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
250:¥1,072.3022
参考库存:27275
DU1260T
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
10:¥1,347.3894
参考库存:27278
GC4941-12
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45:¥134.696
50:¥127.3962
100:¥123.7124
250:¥112.7966
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MRF8S7235NR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2
250:¥723.7537
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AT0603T01ECATD
American Technical Ceramics (ATC)
无线和射频半导体
衰减器 1db 1W 0603 DC to 20GHz
1,000:¥31.6626
2,000:¥30.0467
参考库存:27287
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