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无线和射频半导体
CGHV14250F参考图片

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CGHV14250F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
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1
¥2,673.4896
2673.4896
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18.6 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
18 A
输出功率
330 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 130 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440162
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.78 mm
长度
20.45 mm
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
10.29 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV14250F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV14250F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥62.6246
10:¥56.3192
25:¥53.0196
50:¥49.7878
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1:¥3,096.4938
2:¥3,050.9322
5:¥3,006.7492
10:¥2,922.067
参考库存:3071
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25:¥270.2508
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1:¥49.8669
10:¥40.115
100:¥36.499
250:¥32.9621
4,000:¥20.9728
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无线和射频半导体
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1:¥66.9299
10:¥60.4776
50:¥57.7091
100:¥50.1042
参考库存:4803
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