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无线和射频半导体
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D2002UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V- 1GHz SE
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数量单价合计
1
¥539.9592
539.9592
10
¥476.7922
4767.922
25
¥423.0833
10577.0825
50
¥400.9466
20047.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2002UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:4206
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF Bluetooth SMART SOC with USB BLE
1:¥32.1146
10:¥28.815
100:¥23.5944
250:¥22.1254
500:¥20.0575
参考库存:1574
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 DPD Mixer 0.25 UM SIGE BICMOS
1:¥158.4486
5:¥152.5274
10:¥146.6062
25:¥134.696
参考库存:1508
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2511 32kB Chipset
1:¥51.0195
10:¥46.104
25:¥42.7253
100:¥38.194
参考库存:1706
无线和射频半导体
射频放大器 .7 to 3.8 GHz Ultra LNA
1:¥18.2156
10:¥14.6787
100:¥13.221
250:¥11.752
3,000:¥7.5823
参考库存:1944
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