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无线和射频半导体
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D1029UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP
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1
¥1,916.2314
1916.2314
10
¥1,692.0959
16920.959
25
¥1,535.2632
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50
¥1,439.9816
71999.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
35 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1029UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MICRF505YML-TR
Microchip Technology / Micrel
无线和射频半导体
射频收发器 (contact local sales office)850MHz to 950MHz, 2.0V to 2.5V FSK Transceiver with +10dBm Power Amplifier
1:¥20.1366
10:¥19.8202
25:¥18.5207
100:¥16.7466
1,000:¥16.7466
参考库存:4925
CGH60015D-GP4
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:4191
SMA66
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-1200MHz NF 3.8dB Gain 23.5dB
1:¥1,777.9194
参考库存:4153
HMC472ALP4ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 6 Bit 0.5 LSB dig atten
1:¥56.3192
10:¥50.9404
25:¥48.5674
100:¥42.1829
500:¥36.725
参考库存:4200
ADF4110BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL SGL Integer-N 550 MHz
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
参考库存:4732
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