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无线和射频半导体
A3T18H400W23SR6参考图片

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A3T18H400W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:41,575(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,065.9968
1065.9968
5
¥1,045.024
5225.12
10
¥996.3097
9963.097
25
¥975.4047
24385.1175
100
¥926.6113
92661.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.8 dB
输出功率
71 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360345128
商品其它信息
优势价格,A3T18H400W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 2.5/3.3V 200MHz HiSd PLL Clock Buffer
1:¥234.362
5:¥223.2993
10:¥216.7679
25:¥199.2416
参考库存:4827
无线和射频半导体
射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB
1:¥37.0414
25:¥34.578
100:¥34.578
200:¥32.431
参考库存:4566
无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 3W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:4707
无线和射频半导体
射频放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14
1:¥740.9636
5:¥701.0068
10:¥690.9498
25:¥640.8456
500:¥507.37
参考库存:42962
无线和射频半导体
衰减器 ATTENUATOR 20DB
1:¥112.3446
10:¥102.039
25:¥101.5079
50:¥91.9029
参考库存:42965
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