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无线和射频半导体
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2SC5087YTE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
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1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3165
23.165
100
¥1.2882
128.82
1,000
¥0.94468
944.68
3,000
¥0.81473
2444.19
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5087
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
80 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
240
商标
Toshiba
增益带宽产品fT
7 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SC5087YTE85LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD85006L-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:3117
AT-263-PIN
MACOM
无线和射频半导体
衰减器 DC-2.0GHz 5 bit Atten:31dB 1dB steps
1:¥1,210.6142
参考库存:3032
NPT25100B
MACOM
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
1:¥1,344.0898
2:¥1,306.9693
5:¥1,277.0017
10:¥1,239.6552
参考库存:3029
SD1275-01
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥292.4553
10:¥283.3136
25:¥272.782
50:¥267.019
参考库存:41479
RFSW6024SR
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6000MHz SPDT
1:¥17.9783
25:¥13.8312
100:¥10.7576
参考库存:3048
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