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分立半导体
MT3S113(TE85L,F)参考图片

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MT3S113(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW
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库存:27,977(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥2.0792
6237.6
9,000
¥2.0001
18000.9
24,000
¥1.921
46104
45,000
¥1.8984
85428
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S113
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Reel
工作频率
12.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MT3S113(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 200volts 1.0amp
1:¥3.7629
10:¥2.825
100:¥2.1018
500:¥1.7289
10,000:¥1.05994
20,000:查看
参考库存:14124
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥57.1667
10:¥51.7088
25:¥49.2567
100:¥42.8044
参考库存:4127
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥133.0914
10:¥120.9439
25:¥111.8813
50:¥105.8132
参考库存:4160
分立半导体
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:4191
分立半导体
整流器 16A,600V,GLASS Pass Superfast,DUAL Rect
1:¥9.9101
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥5.1867
参考库存:6128
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