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分立半导体

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VS-GB100TP120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
650 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB100TP120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:49679
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
1:¥13.1419
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
参考库存:3293
分立半导体
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:22017
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥33.9678
10:¥30.2727
100:¥27.5833
250:¥24.8939
参考库存:1711
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:1395
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