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VS-GB100TP120N

  • Vishay Semiconductors
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
650 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB100TP120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B9V1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 410mW 2%
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.24634
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
参考库存:34897
LLZ5224B L0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2v8
30,000:¥0.20001
50,000:¥0.1695
参考库存:34900
AUIRLS3034
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
3,000:¥20.0575
参考库存:34903
BZD27C68P
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.8 Watt 5%
1,800:¥0.80682
9,000:¥0.69947
23,400:¥0.65314
参考库存:34906
1N4760A
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W 68V 5% ZENER
5,000:¥0.67574
参考库存:34909
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