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分立半导体
A2T21H410-24SR6参考图片

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A2T21H410-24SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
150
¥1,282.0754
192311.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
72 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935312756128
单位重量
8.604 g
商品其它信息
优势价格，A2T21H410-24SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF400R12KE3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:4674
STB9NK60ZT4
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分立半导体
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5994
参考库存:5148
2SCR562F3TR
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2374
3,000:¥1.8871
参考库存:10616
IPB180P04P4-03
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥21.5943
10:¥18.2834
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:9801
BSM400C12P3G202
ROHM Semiconductor
分立半导体
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:4632
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