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分立半导体
A2T21H410-24SR6参考图片

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A2T21H410-24SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
150
¥1,282.0754
192311.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
72 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935312756128
单位重量
8.604 g
商品其它信息
优势价格，A2T21H410-24SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP60R160P6
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
参考库存:3254
S1WB(A)80-7101
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=80 IFSM=30
1:¥7.458
10:¥6.7235
100:¥6.1133
500:¥5.2658
参考库存:2399
BSC22DN20NS3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:12139
ESH2PBHM3/84A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100volts 1.0amp
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.9775
500:¥1.6272
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:2740
PDTA114EQAZ
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTA114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:7262
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