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分立半导体
CSD87355Q5DT参考图片

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CSD87355Q5DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET
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库存：27,524(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥14.6787
3669.675
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.5994
10599.4
2,500
¥9.9101
24775.25
5,000
¥9.5259
47629.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.7 nC, 31.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
6 mm
系列
CSD87355Q5D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
90 S , 151 S
下降时间
3 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 14 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 27 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 10 ns
商品其它信息
优势价格，CSD87355Q5DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S40QR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 1200V 40A REV Leads Std. Recovery
1:¥89.5977
10:¥80.6029
25:¥73.4613
100:¥66.3084
参考库存:1248
APT100GT120JU3
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:1224
VT60M45C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60A,45V,TRENCH SKY RECT.
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.8367
1,000:¥8.9157
参考库存:3196
TSD20H120CW C0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Low VF Trench Schottky, 20A, 120V
1:¥8.4524
10:¥7.5258
25:¥6.8026
100:¥5.9551
参考库存:1281
MP356
Rectron
分立半导体
桥式整流器 35A 600V
1:¥16.5997
100:¥14.2945
500:¥11.526
1,000:¥9.9892
参考库存:1262
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