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分立半导体
BSM200GB120DN2参考图片

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BSM200GB120DN2

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数量单价合计
1
¥1,464.1862
1464.1862
5
¥1,428.9189
7144.5945
10
¥1,393.4934
13934.934
25
¥1,373.8992
34347.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
290 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.4 kW
封装 / 箱体
Half Bridge2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB120DN2HOSA1 SP000014913
商品其它信息
优势价格,BSM200GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:4674
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5994
参考库存:5148
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2374
3,000:¥1.8871
参考库存:10616
分立半导体
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥21.5943
10:¥18.2834
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:9801
分立半导体
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:4632
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