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分立半导体
TPCC8093,L1Q参考图片

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TPCC8093,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 20V FET 21A 30W 1860pF 16nC
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4.6895
10
¥3.6273
36.273
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.8758
1875.8
5,000
¥1.582
7910
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TPCC8093
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
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稳压二极管 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2
12,500:¥0.84524
25,000:¥0.77631
参考库存:25338
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