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分立半导体
TK39N60W5,S1VF参考图片

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TK39N60W5,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存：7,440(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.6872
71.6872
10
¥64.5456
645.456
25
¥58.7826
1469.565
50
¥57.3249
2866.245
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60W5
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
180 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK39N60W5,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3635L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.8294
200:¥82.829
500:¥77.4502
1,000:¥71.077
参考库存:32986
JANTXV1N4132UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥105.0448
137:¥105.0448
200:¥95.824
500:¥89.5977
1,000:¥82.2188
参考库存:32989
JANTXV1N3040B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥110.9547
130:¥110.9547
200:¥101.2028
500:¥94.6714
1,000:¥86.8292
参考库存:32992
JANTX1N5518D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥147.9961
200:¥135.8486
500:¥129.2494
参考库存:32995
JANTX1N5543D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥183.3425
200:¥168.2005
500:¥160.1323
参考库存:32998
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