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分立半导体
TPH5200FNH,L1Q参考图片

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TPH5200FNH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存：10,506(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
5,000
¥8.6106
43053
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH5200FNH
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPH5200FNH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STTH9012TV1
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 high voltage diode
1:¥210.6207
5:¥208.3946
10:¥194.247
25:¥185.5686
参考库存:1019
BC857BHZGT116
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:10925
DTB143ECHZGT116
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:4122
VS-VSKC71/12
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 80 Amp 1570 Amp IFSM
1:¥287.5398
5:¥279.9236
10:¥269.0982
参考库存:1028
IGZ100N65H5XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥53.4038
10:¥48.251
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1262
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