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分立半导体
CSD19538Q2T参考图片

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CSD19538Q2T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.6895
46.895
100
¥3.0397
303.97
250
¥3.0397
759.925
1,000
¥2.4408
2440.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
59 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD19538Q2
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，CSD19538Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SFA806G C0
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2,000:¥3.4239
4,000:¥3.3448
10,000:¥3.0623
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5,000:¥1.3334
10,000:¥1.2543
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50,000:¥1.1526
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分立半导体
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2,000:¥4.1923
参考库存:26533
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