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分立半导体
TTC004B,Q参考图片

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TTC004B,Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V Trans
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3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126N-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTC004B
直流电流增益 hFE 最大值
280
商标
Toshiba
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
140
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
单位重量
84 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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