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分立半导体
SSM6J507NU,LF参考图片

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SSM6J507NU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
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库存:1,639(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN6B-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.6 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
SSM6J507
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
55 ns
商品其它信息
优势价格,SSM6J507NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 4.0 Amp 600 Volt
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:5256
分立半导体
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
1:¥5.2997
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥1.7628
参考库存:8286
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W NPN
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:3409
分立半导体
MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-VSONP
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6272
参考库存:22485
分立半导体
整流器 600 Volt 60 Amp
1:¥65.54
10:¥59.0086
25:¥53.788
100:¥48.4883
参考库存:3057
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