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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1116MFV
封装	Cut Tape
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	7 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
单位重量	1.500 mg

商品其它信息

优势价格，RN1116MFV,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC847BMB,315	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V NPN 100mA 250mW	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32996 10,000:¥0.22261 20,000:查看	参考库存:17996
BUT11AFTU	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor	1:¥8.1473 10:¥6.9043 100:¥5.2997 500:¥4.6895 1,000:¥3.7064	参考库存:2941
DMN2041L-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET,N-CHANNEL	1:¥2.7685 10:¥1.9549 100:¥0.90626 1,000:¥0.69156 3,000:¥0.59212	参考库存:13052
QS5K2TR	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5	1:¥3.842 10:¥3.2205 100:¥1.9662 1,000:¥1.5255 3,000:¥1.4803	参考库存:29578
PSMN8R5-100ESQ	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M	1:¥12.3735 10:¥10.5316 100:¥8.4524 500:¥7.3563	参考库存:6031