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分立半导体
CSD87501L参考图片

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CSD87501L

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFET
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库存:6,490(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5313
453.13
500
¥4.0002
2000.1
3,000
¥2.8024
8407.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
BGA-10
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC, 40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
3.37 mm
系列
CSD87501L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.47 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
48 S, 48 S
下降时间
712 ns, 712 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
260 ns, 260 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
709 ns, 709 ns
典型接通延迟时间
164 ns, 164 ns
单位重量
3.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87501L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:24253
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:24256
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.3W 2% CA AUTO
1:¥3.0736
10:¥1.7402
100:¥0.9379
500:¥0.75258
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:24259
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:24262
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:24265
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