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分立半导体
STGD4M65DF2参考图片

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STGD4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
2,500
¥2.6103
6525.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD4M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,50V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥0.88366
5,000:¥0.72998
参考库存:28029
分立半导体
整流器 3A, 600V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.5369
100:¥2.6555
500:¥1.9436
1,250:¥1.4577
2,500:¥1.3447
参考库存:28032
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A, 40V, AXIAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.2996
100:¥2.2826
500:¥1.5707
1,250:¥1.1752
参考库存:28035
分立半导体
稳压二极管 3W,160V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
850:¥0.97632
参考库存:28038
分立半导体
稳压二极管 1.0W, VR=3.6V
1:¥4.3053
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.1526
2,000:¥0.99101
参考库存:28041
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