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分立半导体
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CSD18514Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存：12,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.537
55.37
100
¥3.5821
358.21
1,000
¥2.8702
2870.2
2,500
¥2.599
6497.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18514Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
59 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18514Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFD4C50NT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V
5,000:¥5.6048
10,000:¥5.3788
参考库存:33166
APTM10TAM09FPG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥1,172.3524
参考库存:33169
PD57045-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
400:¥316.2757
参考库存:33172
APTC60AM45B1G
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Coolmos
100:¥516.975
参考库存:33175
SMAJ4760CE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
参考库存:33178
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