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分立半导体
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STU3LN80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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库存:6,039(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
2.75 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
2.63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU3LN80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,STU3LN80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
1:¥461.8084
5:¥447.819
10:¥434.6884
25:¥407.5571
参考库存:4381
分立半导体
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.3843
参考库存:5325
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
1:¥775.9258
250:¥775.9258
参考库存:4552
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 300 V 250 mA
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:8500
分立半导体
肖特基二极管与整流器 New Input Diodes - TO-247-e3
1:¥104.8075
10:¥95.2816
25:¥88.14
50:¥83.3714
参考库存:4839
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