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分立半导体
CSD85302L参考图片

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CSD85302L

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V Dual N ch MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.842
38.42
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
680 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.22 mm
长度
1.35 mm
系列
CSD85302L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
99 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
173 ns
典型接通延迟时间
37 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
优势价格，CSD85302L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDA144EU-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6469
BZT52C3V3LP-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 250mW 3.3V Zener
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:8352
MSC2712GT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:36468
BAS19W-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 200MW 120V
1:¥2.4634
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.36838
参考库存:6347
CPH3205-TL-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 50V
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:7310
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