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分立半导体
SIHU4N80E-GE3参考图片

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SIHU4N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
1
¥15.142
15.142
10
¥12.5995
125.995
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0625
7062.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格，SIHU4N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
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PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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250:¥468.0347
参考库存:31673
BZW03D130-TR
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稳压二极管 130 Volt 20W 10%
12,500:¥3.9437
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A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
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APTM10SKM02G
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥955.2794
参考库存:31682
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