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分立半导体
STI33N65M2参考图片

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STI33N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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库存:1,793(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
117 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
41.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI33N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI33N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.1366
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5765
分立半导体
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.7686
10:¥3.7629
100:¥2.5764
500:¥1.7628
2,500:¥1.1865
10,000:查看
参考库存:9903
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:10650
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 1000 Volt 220 Amp IFSM
1:¥10.7576
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥5.6274
参考库存:5933
分立半导体
MOSFET TBD
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4071
500:¥5.6613
2,500:¥3.9663
10,000:查看
参考库存:5257
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