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分立半导体
TK49N65W,S1F(S参考图片

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TK49N65W,S1F(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
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数量单价合计
1
¥88.0609
88.0609
10
¥79.2243
792.243
25
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1805.74
100
¥65.1558
6515.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
TK49N65W
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
270 ns
典型接通延迟时间
130 ns
商品其它信息
优势价格，TK49N65W,S1F(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA316B-800E,118
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 150A 3-Pin (2+Tab)
4,800:¥3.4804
9,600:¥3.3448
24,800:¥3.2431
参考库存:27437
VIT1060C-M3/4W
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 10A,60V,TRENCH SKY RECT.
2,000:¥4.1471
3,000:¥3.8646
5,000:¥3.6725
10,000:¥3.5369
25,000:¥3.4239
参考库存:27440
AS3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 3A,600V,STD, Avalanche SM
6,500:¥1.808
13,000:¥1.7402
19,500:¥1.6724
参考库存:27443
S1PJHM3J/84A
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1A,600V,GPP,STD,SM RECT
15,000:¥0.72998
27,000:¥0.66896
参考库存:27446
MURS320-M3/9AT
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A,200V,25NS,UF Rect, SMD
3,500:¥1.7063
7,000:¥1.5933
10,500:¥1.4916
24,500:¥1.4125
参考库存:27449
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