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分立半导体
MT3S113P(TE12L,F)参考图片

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MT3S113P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
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1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
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2056.6
1,000
¥3.2544
3254.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S113P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.7 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1.6 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S113P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S2BA F3G
Taiwan Semiconductor
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10:¥4.2262
100:¥2.7685
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1,800:¥0.7684
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1SMB5933HR5G
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1:¥4.7686
10:¥2.7685
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500:¥1.3108
850:¥0.97632
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SF63GHR0G
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10:¥4.5313
100:¥3.5143
500:¥2.6103
1,250:¥1.9323
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RS2DAHF3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A, 200V, FAST Rec. SMA RECTIFIER
1:¥4.9946
10:¥4.5313
100:¥2.9719
1,000:¥0.99101
1,800:¥0.82264
参考库存:23476
RS1KHF3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 800V, GP FR SMD RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.842
100:¥2.5086
1,000:¥0.84524
1,800:¥0.69156
参考库存:23479
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