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分立半导体
MT3S113P(TE12L,F)参考图片

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MT3S113P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
¥4.1132
2056.6
1,000
¥3.2544
3254.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S113P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.7 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1.6 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S113P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES1D-E3/5AT
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.068
10:¥2.3165
100:¥1.243
500:¥0.99892
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:37038
1PS79SB40,115
Nexperia
分立半导体
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1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:47724
MA4E2040
MACOM
分立半导体
肖特基二极管与整流器
100:¥99.0445
200:¥90.513
500:¥82.0606
1,000:¥75.2241
参考库存:6186
Z0109MA 2AL2
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 1A 双向可控硅
1:¥4.8364
10:¥3.2431
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4012
参考库存:7674
PTZTE258.2B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 8.2V 1W
1,500:¥1.11418
9,000:¥1.03734
24,000:¥0.9831
49,500:¥0.9605
99,000:¥0.92208
参考库存:51777
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