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分立半导体
VN1206L-G P014参考图片

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VN1206L-G P014

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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库存:16,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.1362
121.362
25
¥10.1474
253.685
100
¥9.2208
922.08
2,000
¥5.9438
11887.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Microchip Technology
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN1206L-G P014的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:24772
分立半导体
分立半导体模块 100 Amp 60 Volt 15000 Amp IFSM
1:¥315.8124
5:¥307.4391
10:¥295.5289
参考库存:24775
分立半导体
SCR模块 HIGH POWER THYR / DIO
1:¥11,310.622
参考库存:24778
分立半导体
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:24781
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,844.6233
5:¥1,799.1295
10:¥1,755.8731
25:¥1,692.0168
参考库存:24784
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