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分立半导体
TK10J80E,S1E参考图片

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TK10J80E,S1E

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
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库存：40,746(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.8204
23.8204
10
¥19.1309
191.309
100
¥17.4472
1744.72
250
¥15.7522
3938.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK10J80E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，TK10J80E,S1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PMT4132/TR7
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥5.2658
6,000:¥5.0737
9,000:¥4.6895
参考库存:28207
2EZ24D10/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.4468
参考库存:28210
JAN1N3034CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥219.2991
200:¥201.2417
参考库存:28213
JAN1N4964CUS
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥157.6011
250:¥144.6852
500:¥137.7018
参考库存:28216
JANTXV1N973DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥163.3641
200:¥149.9171
500:¥142.6964
参考库存:28219
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