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分立半导体
UJ3C065080T3S参考图片

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UJ3C065080T3S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
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数量单价合计
1
¥87.5976
87.5976
10
¥83.4505
834.505
25
¥77.2242
1930.605
50
¥73.0771
3653.855
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UJ3C
商标
UnitedSiC
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格，UJ3C065080T3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KBU604G
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BZT52C24
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24,000:¥0.20792
45,000:¥0.1921
参考库存:35800
BZT52B10
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分立半导体
稳压二极管 10 Volt 410mW 2%
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.24634
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
参考库存:35803
1N4002G-T
Rectron
分立半导体
整流器 DO-41 1A 100V GP
10,000:¥0.20001
参考库存:35806
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