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分立半导体
UJ3C065030T3S参考图片

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UJ3C065030T3S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
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库存:2,355(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥228.599
228.599
5
¥218.3047
1091.5235
10
¥211.536
2115.36
25
¥194.3261
4858.1525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UJ3C
商标
UnitedSiC
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
36 ns
商品其它信息
优势价格,UJ3C065030T3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
2,500:¥3.6951
10,000:查看
参考库存:34434
分立半导体
MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥40.6461
10:¥33.7305
100:¥27.7415
250:¥26.894
500:¥24.1255
3,000:¥24.1255
参考库存:4640
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,215.4554
2:¥2,162.1194
5:¥2,139.1465
10:¥2,108.4105
参考库存:3768
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
3,000:¥3.5934
参考库存:45751
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
参考库存:4442
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