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分立半导体
TK12E60W,S1VX参考图片

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TK12E60W,S1VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
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数量单价合计
1
¥23.6622
23.6622
10
¥19.0518
190.518
100
¥17.3681
1736.81
250
¥15.6731
3918.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK12E60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK12E60W,S1VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT55C5V1 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 5v1
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:25117
MBR1050CTHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,50V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥6.9156
10:¥5.989
25:¥5.5031
100:¥4.7912
2,000:¥2.4973
4,000:查看
参考库存:25120
LL914B L0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
1:¥0.7684
10:¥0.53788
100:¥0.36838
1,000:¥0.12317
10,000:¥0.08475
20,000:查看
参考库存:25123
MTZJ5V6SB R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 zener 500mW 5V6
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:25126
BZV55C33 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 33v
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9605
1,000:¥0.32318
2,500:¥0.26894
参考库存:25129
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