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分立半导体
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STO33N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 26 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-LL package
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数量单价合计
1
¥32.4988
32.4988
10
¥27.6624
276.624
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.7469
5686.725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-LL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
STO33N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38.5 ns
典型接通延迟时间
19.5 ns
商品其它信息
优势价格，STO33N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBG5363B/TR13
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100:¥301.1337
200:¥281.0762
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Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥6.9043
8,000:¥6.6331
参考库存:52929
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