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分立半导体
PUMD2,125参考图片

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PUMD2,125

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
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库存:5,930(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.7176
17.176
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN, PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
最大工作频率
230 MHz, 180 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
300 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
商标
Nexperia
通道模式
Enhancement
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,PUMD2,125的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCHING DIODE 75 V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:10887
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥277.0082
5:¥264.5556
10:¥256.2614
25:¥235.5146
参考库存:4899
分立半导体
肖特基二极管与整流器 WL CSP Low VF 40V Schottky Diode
1:¥4.0002
10:¥2.8476
100:¥1.8645
500:¥1.10627
1,000:¥0.62263
参考库存:29416
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥401.489
5:¥389.3528
10:¥377.8946
25:¥354.3115
参考库存:4941
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650 V, 8 A 2-lead SiC
1:¥40.1828
10:¥32.2728
100:¥29.4252
250:¥26.5889
参考库存:5417
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