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分立半导体
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STB35N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.6679
6166.975
1,000
¥18.6676
18667.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB35N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格，STB35N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TYN812RG
STMicroelectronics
分立半导体
SCR THYRISTOR
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:5747
IRFR2307ZTRLPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8365
500:¥6.0455
1,000:¥4.7686
3,000:¥4.7686
参考库存:6040
PZU15B1,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:18681
CSD87381P
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II
1:¥6.6896
10:¥5.6839
100:¥4.3844
500:¥3.8759
2,500:¥2.712
10,000:查看
参考库存:8783
IPP045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5285
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