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分立半导体
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STL8N6F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.5764
257.64
1,000
¥2.0679
2067.9
3,000
¥1.7402
5220.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
系列
STL8N6F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
3.95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.1 ns
典型接通延迟时间
7.85 ns
商品其它信息
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