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分立半导体
TK39J60W5,S1VQ参考图片

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TK39J60W5,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
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库存:1,507(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.9082
84.9082
10
¥76.4558
764.558
25
¥69.6984
1742.46
100
¥62.8506
6285.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK39J60W5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,TK39J60W5,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
2,500:¥1.4803
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1:¥7.8422
10:¥6.3054
100:¥5.5144
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
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1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.8024
参考库存:7235
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1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
800:¥4.6104
参考库存:7844
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12.5A 35V Low Vf
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
800:¥6.4184
参考库存:2988
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