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分立半导体
GS61008P-E05-MR参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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GS61008P-E05-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
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库存:5,200(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.9298
64.9298
10
¥63.0879
630.879
25
¥60.3985
1509.9625
250
¥56.0932
14023.3
1,000
¥54.4773
54477.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
7.5 mm
产品
MOSFET
系列
GS6100x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS61008P-E05-MR
商品其它信息
优势价格,GS61008P-E05-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 22K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:5956
分立半导体
稳压二极管 100mW 20V
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:4763
分立半导体
稳压二极管 38.02-39.98V 2mA SOD-323FL; UMD2
1:¥2.147
10:¥1.5029
100:¥0.62263
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:8806
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans
1:¥1,046.8659
25:¥905.4012
100:¥783.0787
参考库存:2888
分立半导体
桥式整流器 VRM=800 IFSM=170
1:¥18.8258
10:¥16.2155
100:¥14.5205
250:¥13.6052
参考库存:2937
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