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分立半导体
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MJD340T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Switch
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9437
39.437
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.8645
1864.5
2,500
¥1.582
3955
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最大直流电集电极电流
750 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD340
直流电流增益 hFE 最大值
240
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，MJD340T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD85025-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:24772
VS-VSKDS208/060
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 100 Amp 60 Volt 15000 Amp IFSM
1:¥315.8124
5:¥307.4391
10:¥295.5289
参考库存:24775
T1601N36TOFXPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 HIGH POWER THYR / DIO
1:¥11,310.622
参考库存:24778
FDMS3668S
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:24781
APTMC120AM55CT1AG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,844.6233
5:¥1,799.1295
10:¥1,755.8731
25:¥1,692.0168
参考库存:24784
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