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分立半导体
GS66508B-E01-MR参考图片

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GS66508B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存:3,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥130.628
130.628
10
¥126.4018
1264.018
25
¥120.5597
3013.9925
250
¥111.8813
27970.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
8.8 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7 mm
商标
GaN Systems
下降时间
5.2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
GS66508B-E01-MR
商品其它信息
优势价格,GS66508B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11011
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:6767
分立半导体
整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
500:¥14.3736
参考库存:5246
分立半导体
MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
2,000:¥8.9948
4,000:查看
参考库存:29635
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
1:¥7.8422
10:¥6.7461
100:¥5.1867
500:¥4.5765
1,500:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:7311
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