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分立半导体
GS66508B-E01-MR参考图片

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GS66508B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存:3,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥130.628
130.628
10
¥126.4018
1264.018
25
¥120.5597
3013.9925
250
¥111.8813
27970.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
8.8 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7 mm
商标
GaN Systems
下降时间
5.2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
GS66508B-E01-MR
商品其它信息
优势价格,GS66508B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 23.45V 2% 500mW 2pin
10,000:¥0.2147
20,000:¥0.1921
50,000:¥0.17628
100,000:¥0.14577
参考库存:23792
分立半导体
整流器 Hyperfast pwr diode
5,000:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:23795
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTC143ZMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
10,000:¥0.35369
20,000:¥0.33787
50,000:¥0.31527
100,000:¥0.27685
参考库存:23798
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
3,000:¥1.2882
9,000:¥1.2091
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.11418
参考库存:23801
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 40V
50:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:23804
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