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分立半导体
TSM60N1R4CP参考图片

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TSM60N1R4CP

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm
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数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.9156
691.56
500
¥5.3675
2683.75
2,500
¥3.8307
9576.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
880 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
7.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
ROG TSM60N1R4CP
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TSM60N1R4CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DZ2S330M0L
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10:¥1.1639
100:¥0.54579
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9,000:查看
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1,000:¥8.0682
参考库存:4006
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DZ23C24-TP
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分立半导体
稳压二极管 24V 300mW
1:¥4.0002
10:¥2.6216
100:¥1.09158
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.56839
参考库存:6657
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