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分立半导体
PSMN7R6-100BSEJ参考图片

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PSMN7R6-100BSEJ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V 7.6 mo FET
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
800
¥8.9157
7132.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
128 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
296 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，PSMN7R6-100BSEJ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5806C.TR
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6,000:查看
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