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分立半导体
IHW30N160R2FKSA1参考图片

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IHW30N160R2FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N160R2 IHW3N16R2XK SP000273701
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格，IHW30N160R2FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL34N65M5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.99 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
1:¥47.5617
10:¥43.0304
25:¥41.0303
100:¥35.5724
3,000:¥26.0465
参考库存:26805
VS-VSKT430-20PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 2000volt 430amp
1:¥3,917.9134
5:¥3,869.3573
10:¥3,772.7649
参考库存:26808
IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
2,500:¥6.9043
5,000:查看
参考库存:7171
VS-VSKD166/08PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 800 Volt 165 Amp
1:¥479.1765
5:¥470.3399
10:¥450.9717
25:¥436.8354
参考库存:4688
AUIRFZ44VZS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:26815
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