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分立半导体
CSD19505KTTT参考图片

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CSD19505KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET SMALL REEL VERSION OF CSD19505KTT
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库存：37,781(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥23.2102
232.102
50
¥23.2102
1160.51
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.7523
4438.075
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19505KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
262 S
下降时间
3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，CSD19505KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC55-10PASX
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
3,000:¥0.63732
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.49155
99,000:¥0.46895
参考库存:25282
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:25285
2N3867
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥55.935
1,000:¥53.8671
参考库存:25288
VT10200C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A, 200V,TRENCH SKY RECT.
3,000:¥4.5087
参考库存:25291
FDB2532-F085
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
800:¥18.984
2,400:¥17.9783
4,800:¥17.289
参考库存:25294
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