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分立半导体
IRG6B330UDPBF参考图片

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IRG6B330UDPBF

  • Infineon / IR
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  • IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
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库存:1,690(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.3463
33.3463
10
¥28.3517
283.517
100
¥24.5888
2458.88
250
¥23.278
5819.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
330 V
集电极—射极饱和电压
1.69 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532524
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG6B330UDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 BZT52-B39/SOD123/SOD2
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
参考库存:11503
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-323FL 2.2kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:9654
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:10756
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥74.919
10:¥67.3932
25:¥61.3929
100:¥55.4039
参考库存:2296
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.2996
10:¥2.2487
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,500:¥0.83733
4,500:查看
参考库存:6136
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