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分立半导体
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IRG6B330UDPBF

  • Infineon / IR
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  • IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
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数量单价合计
1
¥33.3463
33.3463
10
¥28.3517
283.517
100
¥24.5888
2458.88
250
¥23.278
5819.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
330 V
集电极—射极饱和电压
1.69 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532524
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTMC120HR11CT3AG
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