您好！欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
分立半导体
IRG4BC30KDPBF参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

IRG4BC30KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：3,126(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.9731
26.9731
10
¥22.8938
228.938
100
¥19.8993
1989.93
250
¥18.8258
4706.45
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.21 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
28 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
28 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532644
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRG4BC30KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:31670
PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:31673
BZW03D130-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 130 Volt 20W 10%
12,500:¥3.9437
参考库存:31676
A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:31679
APTM10SKM02G
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥955.2794
参考库存:31682
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话：0755-82865099

手机：19129491934

传真：0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们